Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 900 A |
| Configuração | 2 transistores IGBT com diodo antiparalelo |
| Package | Press-Pack |
| Corrente de pico (Icm) | 1800 A |
| Tensão de saturação (Vce(sat)) | 2.0 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico otimizado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF900R12IP4?
O módulo de potência IGBT FF900R12IP4 da Infineon opera com uma tensão nominal (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FF900R12IP4?
O FF900R12IP4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do pacote e configuração do FF900R12IP4?
O FF900R12IP4 utiliza um pacote Press-Pack e possui configuração de 2 transistores IGBT com diodo antiparalelo.