Descrição
Transistor de potência IGBT de 1200V com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre RCD 050. Ideal para aplicações de inversores solares e UPS.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) | 75 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de Roda Livre | RCD-050 |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.39 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão de saturação do transistor Infineon IFF750B12ME7_B11?
A tensão Coletor: Emissor (Vce(sat)) é de 1.7 V (típico).
Quais as temperaturas de operação do IFF750B12ME7_B11?
A temperatura de operação do IFF750B12ME7_B11 varia de -40°C a +175°C.
Em quais aplicações o IFF750B12ME7_B11 é recomendado?
O Infineon IFF750B12ME7_B11 é ideal para aplicações em inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterruptas) e fontes de alimentação industriais.