Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Diodo de freio | Rápido |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Igc) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FF200R12KE4P pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF200R12KE4P é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o FF200R12KE4P pode operar?
O FF200R12KE4P pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do módulo de potência FF200R12KE4P?
O FF200R12KE4P é usado em inversores solares, sistemas de energia eólica e fontes de alimentação industriais.