Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 750 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de package | Press-Pack |
| Configuração | Módulo de 6 pacotes |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o FF750R12ME7_B11 suporta?
O módulo IGBT FF750R12ME7_B11 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF750R12ME7_B11?
O FF750R12ME7_B11 pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.
Quais são as principais características do FF750R12ME7_B11?
O FF750R12ME7_B11 apresenta baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado.