Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Configuração | 3 fases ponte |
| Dissipação de potência | 1500 W |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF450R12KT4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FF450R12KT4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quais as aplicações típicas do FF450R12KT4 e qual sua configuração?
O FF450R12KT4 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia. Sua configuração é de 3 fases ponte, contendo 6 semicondutores e utilizando a tecnologia IGBT 4.