Descrição
Transistor de potência IGBT de 1200V com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 300 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 600 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 4 |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 °C a +175 °C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.32 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IFF300B12ME4P_B11 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IFF300B12ME4P_B11?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +175 °C.
Este IGBT possui diodo de roda livre integrado?
Sim, o IFF300B12ME4P_B11 possui um diodo de roda livre integrado.