Infineon FF300R12KT4P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 300 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 2.5 A
Temperatura de operação (Tj) -40 a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freewheeling rápido (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Isolamento térmico integrado

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FF300R12KT4P?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF300R12KT4P é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A temperatura de operação (Tj) do FF300R12KT4P varia de -40 a +150 °C.

Quais as características da tecnologia utilizada e os benefícios do FF300R12KT4P?

O FF300R12KT4P utiliza tecnologia IGBT 4, possui um diodo de freewheeling rápido e oferece baixas perdas de condução e comutação, além de isolamento térmico integrado.

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