Descrição
Módulo de potência IGBT de alta corrente da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Isolado | Sim |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal contínua do Infineon FF450R12KT4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 450 A.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do FF450R12KT4P é de -40 °C a +125 °C.
Quais são as principais características técnicas do FF450R12KT4P?
O FF450R12KT4P utiliza a tecnologia IGBT 4, possui 2 chaves, é isolado, e tem uma resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.04 K/W. A corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 900 A. A tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) é 1.8 V (típico), a tensão de limiar gate-emissor (Vge(th)) é 5.5 V (típico), e a corrente de gate (Ig) é ±200 mA. O package é EconoDUAL™ 3.