Descrição
Transistor de potência IGBT de 1200V com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 450 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.5 A |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.04 K/W |
| Perda de Energia de Comutação (Eon/Eoff) | Baixa |
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do IFF450B12ME4P_B11?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o IFF450B12ME4P_B11 pode operar?
O IFF450B12ME4P_B11 pode operar em temperaturas de -40°C a +150°C.
O IFF450B12ME4P_B11 possui um diodo de roda livre integrado?
Sim, o IFF450B12ME4P_B11 possui um diodo de roda livre integrado.