Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 600 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de diodo | Diode com freewheeling integrado |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ige) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.03 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 IGBTs e 6 diodos |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FF600R12IE4?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF600R12IE4 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R12IE4?
O FF600R12IE4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quantos IGBTs e diodos o FF600R12IE4 possui e qual seu tipo de encapsulamento?
O módulo FF600R12IE4 possui 6 IGBTs e 6 diodos integrados, e utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.