Módulo IGBT Infineon FD200R12KE3P – 1200V, 200A
Procurando um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon FD200R12KE3P, um componente de potência que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de aplicações industriais.
Especificações Técnicas do FD200R12KE3P:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor contínua (IC): 200A
- Corrente de coletor de pico repetitiva (ICRM): 400A
- Resistência térmica junção-caixa (RthJC): 0.2 K/W
- Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: EconoPACK™ 2
Características Principais:
O módulo IGBT Infineon FD200R12KE3P se destaca por suas características avançadas, que garantem alta eficiência e robustez em aplicações exigentes:
- Tecnologia Trenchstop™ IGBT de última geração para baixas perdas de condução e comutação.
- Diodo emissor rápido integrado para otimizar o desempenho em comutação.
- Isolamento galvânico entre o circuito de controle e o circuito de potência.
- Proteção contra curto-circuito e sobretensão.
- Design compacto e robusto para fácil integração em diversos projetos.
Aplicações:
O FD200R12KE3P é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência para motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia solar
- Soldagem a arco
- Aquecimento por indução
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