Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Perda de condução (Pcond) | 100 W (típico) |
| Perda de chaveamento (Psw) | 200 W (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FD450R12KE4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é 450 A. A corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é 900 A.
Qual a faixa de temperatura de operação do FD450R12KE4P e qual seu encapsulamento?
A faixa de temperatura de operação do FD450R12KE4P é de -40 °C a +125 °C. O encapsulamento é EconoDUAL™ 3.
Quais as aplicações típicas do FD450R12KE4P e qual a tecnologia utilizada?
As aplicações típicas do FD450R12KE4P incluem inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação. Ele utiliza a tecnologia IGBT 4 e possui isolamento galvânico integrado.