Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do DF600R12IP4D?
O módulo de potência DF600R12IP4D opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do DF600R12IP4D?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é 600 A.
Quais as aplicações típicas do DF600R12IP4D e qual a tecnologia embarcada?
O DF600R12IP4D é projetado para aplicações como inversor solar e UPS e utiliza a tecnologia IGBT 4 com um diodo de freio rápido integrado.