Infineon DF200R12KE3

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Módulo IGBT Infineon DF200R12KE3 – 1200V, 200A

Módulo IGBT Infineon DF200R12KE3

Descrição

O Infineon DF200R12KE3 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta potência projetado para aplicações exigentes de conversão de energia. Com uma tensão de bloqueio de 1200V e uma corrente de coletor de 200A, este dispositivo oferece excelente desempenho e confiabilidade em uma ampla gama de aplicações industriais.

Este módulo IGBT da Infineon apresenta um design compacto e robusto, ideal para integração em inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), soldadores eletrônicos e outras aplicações que demandam alta eficiência e controle preciso de energia.

Características Principais

  • Tensão de bloqueio do coletor-emissor (VCES): 1200V
  • Corrente de coletor (IC): 200A
  • Frequência de chaveamento: Alta frequência
  • Baixas perdas de condução e chaveamento
  • Tempo de desligamento curto
  • Proteção contra curto-circuito
  • Encapsulamento robusto e compacto

Aplicações Típicas

O módulo DF200R12KE3 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

  • Inversores de frequência para controle de motores
  • Conversores AC-DC e DC-DC
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Soldagem a arco
  • Aquecimento por indução
  • Sistemas de energia renovável (solar e eólica)

Benefícios

Ao escolher o DF200R12KE3, você se beneficia de:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas e custos operacionais.
  • Excelente desempenho de chaveamento, permitindo controle preciso e resposta rápida.
  • Confiabilidade e robustez, garantindo operação estável em ambientes industriais desafiadores.
  • Design compacto, facilitando a integração em seus projetos.

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Infineon DF200R12KE3

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