Infineon DF120R12W2H3_B27

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: DF120R12W2H3_B27 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de freio Diode Fast Recovery
Configuração Half-bridge
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Baixa perda de condução e comutação
  • Alta densidade de potência
  • Montagem em PCB

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT DF120R12W2H3_B27 suporta?

A tensão coletor-emissor (Vces) do IGBT é de 1200 V.

Em quais faixas de temperatura o módulo de potência DF120R12W2H3_B27 pode operar?

O módulo de potência DF120R12W2H3_B27 pode operar em temperaturas de -40°C a +125°C.

Quais são as aplicações típicas do módulo de potência DF120R12W2H3_B27?

O DF120R12W2H3_B27 é projetado para aplicações como inversores solares e sistemas UPS.

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