Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA (máx.) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (Rth(j-c)): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de comutação
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo DF200R12W1H3_B27?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O DF200R12W1H3_B27 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do DF200R12W1H3_B27?
O módulo de potência possui tecnologia IGBT de alta performance, diodo de freio rápido integrado, isolamento galvânico e baixas perdas de comutação.