Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vth) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Número de componentes | 6 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT pode suportar?
O Infineon F3L200R12W2H3_B11 tem uma tensão do coletor: emissor (Vces) de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o módulo de potência pode operar?
O módulo de potência Infineon F3L200R12W2H3_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Qual o tipo de encapsulamento e quais as aplicações típicas do módulo?
O encapsulamento do Infineon F3L200R12W2H3_B11 é EconoDUAL™ 3 e ele é projetado para aplicações de inversor solar e UPS. Ele utiliza tecnologia IGBT de alta velocidade e um diodo de freio rápido integrado.