Descrição
Módulo de potência IGBT de 3 níveis com tecnologia CoolSiC™ Hybrid, projetado para aplicações de inversores solares e de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia | IGBT 4 com diodo CoolSiC™ Hybrid |
|---|---|
| Tensão nominal | 1200 V |
| Corrente nominal (TC=80°C) | 75 A |
| Configuração | 3 níveis (PFC + Inversor) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, drives de motor |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta confiabilidade e robustez
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no Infineon F3L75R12W1H3_B27?
O módulo de potência utiliza a tecnologia IGBT 4 com diodo CoolSiC™ Hybrid.
Em quais aplicações o F3L75R12W1H3_B27 pode ser utilizado?
O produto é projetado para inversores solares, sistemas de energia renovável e drives de motor.
Quais as temperaturas de operação do módulo?
O F3L75R12W1H3_B27 opera em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.