Descrição
Módulo de potência IGBT de 3 níveis com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de emissão de freewheeling R. O dispositivo é otimizado para aplicações de inversores solares.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de freewheeling | R (Rapid) |
| Configuração | 3 níveis (3L) |
| Package | H-PFC2 |
| Tensão de isolamento | 4000 Vrms |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Baixa perda de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de isolamento do módulo de potência Infineon F3L100R12W2H3_B11?
A tensão de isolamento do módulo é de 4000 Vrms.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência F3L100R12W2H3_B11?
O módulo é otimizado para aplicações em inversores solares e sistemas de energia renovável.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no módulo F3L100R12W2H3_B11?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4.