Descrição
Módulo de potência IGBT de 3 níveis com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida. Projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Configuração | 3 níveis (PFC + Inversor) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 300 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do Infineon F3L150R12W2H3_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo de potência F3L150R12W2H3_B11 é comumente utilizado?
Este módulo é projetado para inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo Infineon F3L150R12W2H3_B11 opera entre -40 °C e +150 °C.