Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, parte da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversores e conversores de energia.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1000 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.31 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim (Fast Diode) |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais, drives de motores. |
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente do Infineon FS200R10W3S7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1000 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é 200 A. A corrente de pico do coletor (Icm) é 400 A.
Qual a temperatura de operação e qual o package do FS200R10W3S7_B11?
A faixa de temperatura de operação do FS200R10W3S7_B11 é de -40 °C a +125 °C. O package é EconoDUAL™ 3.
Quais as aplicações típicas do FS200R10W3S7_B11?
As aplicações típicas do FS200R10W3S7_B11 incluem inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais e drives de motores.