Infineon FS200R07A02E3_S6

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 200 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate (VGE(th)) 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Package EconoDUAL™ 3
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia renovável, drives de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão máxima que o FS200R07A02E3_S6 suporta?

O módulo IGBT FS200R07A02E3_S6 possui uma tensão coletor-emissor (Vces) de 700 V.

Em quais temperaturas o FS200R07A02E3_S6 pode operar?

A faixa de temperatura de operação do FS200R07A02E3_S6 é de -40 °C a +125 °C.

Quais as aplicações típicas do FS200R07A02E3_S6?

O FS200R07A02E3_S6 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e drives de motor. Ele integra um diodo de freio rápido e utiliza a tecnologia IGBT de alta performance.

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