Infineon FS75R07N2E4

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Módulo de potência IGBT de 75A e 700V da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de alta eficiência.

SKU: FS75R07N2E4 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de 75A e 700V da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de alta eficiência.

Especificações

Tensão do Coletor Emissor (Vces): 700 V
Corrente Contínua do Coletor (Ic) 75 A
Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
Tensão de Saída do Emissor (Ves) 15 V
Corrente Pulsada do Coletor (Icm) 150 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)): 1.7 V
Tensão de Limiar do Gate Emissor (Vge(th)): 5.5 V
Resistência Térmica Junção Caso (RthJC): 0.4 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de Transistores 6
Diodo de Ruptura Rápida Integrado Sim
Temperatura de Operação -40°C a +150°C

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo módulo FS75R07N2E4?

O módulo de potência FS75R07N2E4 suporta uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 700 V.

Em quais faixas de temperatura o FS75R07N2E4 pode operar?

O FS75R07N2E4 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.

Quais as principais características de corrente e tensão do FS75R07N2E4?

O FS75R07N2E4 possui corrente contínua do coletor (Ic) de 75 A e uma tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V. A corrente pulsada do coletor (Icm) é de 150 A. A tensão de limiar do gate é de 5.5 V.

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