Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP150R07N3E4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V. A temperatura de operação varia de -40°C a +125°C.
Quais as principais características de corrente do FP150R07N3E4?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 150 A, e a corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 300 A. O módulo contém 6 componentes e usa tecnologia IGBT 4 com diodo de roda livre integrado.
Em que tipo de encapsulamento o FP150R07N3E4 é fornecido e qual seu isolamento?
O FP150R07N3E4 é fornecido no encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui isolamento galvânico. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.25 K/W.