Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ige) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolado
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FP100R07N3E4_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP100R07N3E4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP100R07N3E4_B11?
O módulo de potência IGBT FP100R07N3E4_B11 é projetado para aplicações em inversores solares e sistemas de energia renovável.