Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Diodo de roda livre rápido (Fast Diode)
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FP50R07N2E4?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FP50R07N2E4 é de 700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R07N2E4?
A faixa de temperatura de operação do FP50R07N2E4 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP50R07N2E4?
O FP50R07N2E4 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS.