Infineon FP50R07N2E4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 50 A
Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) 150 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.5 V (típico)
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.5 K/W
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Temperatura de operação -40°C a +150°C
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, controle de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT 7
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do FP50R07N2E4_B11?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V. A temperatura de operação varia de -40°C a +150°C.

Quais as aplicações típicas do FP50R07N2E4_B11?

O módulo FP50R07N2E4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e controle de motor.

Quais as características de corrente do FP50R07N2E4_B11?

A corrente nominal do coletor (Ic) é 50 A, com uma corrente nominal do coletor pulsada (Icm) de 150 A. Possui diodo de roda livre (Fast Diode) integrado.

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