Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.5 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EasyPIM 2B |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Isolamento galvânico | 2500 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP75R07N2E4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a 125 °C.
Quais são as principais características de corrente e encapsulamento do FP75R07N2E4?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A, com uma corrente pulsada de 150 A. O módulo utiliza o package EasyPIM 2B.
O Infineon FP75R07N2E4 possui proteção contra sobretensão e isolamento galvânico?
Sim, o módulo possui isolamento galvânico de 2500 Vrms. Além disso, conta com um diodo de freio integrado (Fast Diode) e tecnologia IGBT 7.