Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 600 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de diodo | Ultrafast Emitter Controlled Diode |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ige) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tensão suportada pelo módulo FF600R07ME4?
A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada é de 700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R07ME4?
A faixa de temperatura de operação do módulo FF600R07ME4 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do IGBT do FF600R07ME4?
O FF600R07ME4 utiliza tecnologia IGBT Trench Fieldstop, com tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.75 V (típico) e corrente de gate (Ige) de 200 nA. O diodo é do tipo Ultrafast Emitter Controlled Diode. Possui 6 chaves e o package é Press-Pack.