Infineon FF450R07ME4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão coletor emissor (Vces): 700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 450 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 900 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 nA
Temperatura de operação (Tj) -40 °C a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência
  • Isolamento térmico

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FF450R07ME4_B11?

O módulo de potência FF450R07ME4_B11 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 700 V.

Quais as temperaturas de operação do módulo?

O módulo FF450R07ME4_B11 opera em temperaturas de junção (Tj) que variam de -40 °C a +150 °C.

Quais as características do diodo de freewheeling integrado?

O módulo FF450R07ME4_B11 possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode). Além disso, o módulo utiliza tecnologia IGBT 4 e apresenta baixas perdas de condução e comutação.

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