Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 80 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 240 A |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.45 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do DF80R07W1H5FP_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V. A temperatura de operação varia de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência DF80R07W1H5FP_B11?
O DF80R07W1H5FP_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação.
Quais as principais características de desempenho do DF80R07W1H5FP_B11?
O módulo utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5, possui um diodo de freio rápido integrado e apresenta baixas perdas de condução e comutação. A corrente nominal do coletor (Ic) é de 80 A e a corrente de pico do coletor (Icm) é de 240 A.