Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.15 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (TrenchField)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo DF200R07W2H3_B77?
A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência DF200R07W2H3_B77?
O módulo DF200R07W2H3_B77 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais.
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do coletor-emissor do módulo?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 200 A.