Descrição
Módulo de potência IGBT de 3 níveis com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de emissão de alta velocidade H3, projetado para aplicações de inversores solares e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | High Speed H3 |
| Configuração | 3 níveis (PFC + Inversor) |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W (típico) |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do módulo de potência F3L150R07W2E3_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do módulo é de 700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo F3L150R07W2E3_B11?
A temperatura de operação (Tj) do módulo F3L150R07W2E3_B11 é de -40 a +150 °C.
Qual a tecnologia IGBT e o tipo de diodo de roda livre utilizados no módulo F3L150R07W2E3_B11?
O módulo F3L150R07W2E3_B11 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre High Speed H3.