Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Diodo integrado | Sim (Fast Diode) |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no Infineon F3L150R07W2H3_B11?
O módulo de potência utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop.
Quais as aplicações típicas do Infineon F3L150R07W2H3_B11?
As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do Infineon F3L150R07W2H3_B11?
A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.