Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Número de transistores | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FS50R06W1E3_B11?
O FS50R06W1E3_B11 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do FS50R06W1E3_B11 é de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do FS50R06W1E3_B11 e qual sua configuração?
O FS50R06W1E3_B11 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS e possui configuração half-bridge, com 2 transistores e diodo de roda livre integrado (Fast Diode).