Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência em sistemas de energia.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão nominal | 650 V |
| Corrente nominal | 50 A |
| Configuração | Half-bridge |
| Package | EasyPACK™ 1B |
| Tensão de gate | ±20 V |
| Temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, acionamentos de motor |
Recursos
- Baixa perda de comutação
- Alta densidade de potência
- Resistência térmica baixa
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo FS50R06W1E3?
O módulo FS50R06W1E3 utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET, também conhecida como SiC MOSFET.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS50R06W1E3?
O módulo FS50R06W1E3 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 175 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do FS50R06W1E3?
O FS50R06W1E3 é comumente utilizado em fontes de alimentação, inversores solares e acionamentos de motor.