Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 650 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.15 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª geração
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FS200R06KE3?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FS200R06KE3 é de 650 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FS200R06KE3 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais são as principais aplicações do FS200R06KE3?
O FS200R06KE3 é projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável. Ele possui isolamento galvânico integrado e utiliza tecnologia IGBT de 3ª geração.