Infineon FP50R06W2E3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 50 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 nA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.5 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FP50R06W2E3?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP50R06W2E3 é de 600 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R06W2E3?

As aplicações típicas do FP50R06W2E3 incluem inversores solares, UPS (sistemas de alimentação ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R06W2E3?

A temperatura de operação do FP50R06W2E3 varia de -40 °C a 150 °C.

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