Infineon FP10R06W1E3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3
Tensão do coletor emissor (Vcesat): 600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 40 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Corrente de fuga do coletor (Ic_leak) 1 mA
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 0.2 A
Diodo de freio integrado Sim
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FP10R06W1E3?

O módulo FP10R06W1E3 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vcesat) de 600 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R06W1E3?

A faixa de temperatura de operação do FP10R06W1E3 é de -40 °C a +150 °C.

O FP10R06W1E3 possui diodo de freio integrado?

Sim, o FP10R06W1E3 possui um diodo de freio integrado.

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