Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência e densidade de potência.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão nominal | 650 V |
| Corrente nominal | 75 A |
| Package | EasyPACK™ 1B |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Baixa perda de condução e comutação
- Alta confiabilidade e robustez
- Ideal para inversores solares, fontes de alimentação industriais e aplicações de tração elétrica
- Baixa indutância interna
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no Infineon F4-75R06W1E3?
O módulo de potência Infineon F4-75R06W1E3 utiliza tecnologia CoolSiC™ MOSFET.
Quais as aplicações típicas do F4-75R06W1E3?
Este módulo é ideal para inversores solares, fontes de alimentação industriais e aplicações de tração elétrica.
Qual a faixa de temperatura de operação do F4-75R06W1E3?
A temperatura de operação do F4-75R06W1E3 varia de -40 °C a 150 °C.