Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta confiabilidade e robustez
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do F3L50R06W1E3_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 600 V. A temperatura de operação varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as características de corrente do F3L50R06W1E3_B11?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A, e a corrente de pico do coletor (Icm) é de 100 A. O módulo possui um diodo de freio rápido integrado.
Quais as aplicações típicas do F3L50R06W1E3_B11?
O F3L50R06W1E3_B11 é projetado para aplicações como inversores solares e UPS (Uninterruptible Power Supply). Ele utiliza a tecnologia IGBT 4 e possui baixas perdas de condução e comutação.