Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e de transporte.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 3300 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1200 A |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic,nom) | 1200 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 2400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.4 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do gate (IGES) | ±250 nA |
| Temperatura de operação máxima da junção (Tj) | 150 °C |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Aplicações | Inversores de alta potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal do FZ1200R33HE4D_B9?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 3300 V.
Qual a temperatura máxima de operação da junção do FZ1200R33HE4D_B9?
A temperatura de operação máxima da junção (Tj) é de 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FZ1200R33HE4D_B9?
O FZ1200R33HE4D_B9 é utilizado em inversores de alta potência, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.