Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor trifásico.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 500 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 750 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, @Vce=1200V, Tj=150°C) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do coletor-emissor do F3L500R12W3H7_H11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 500 A. A corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 750 A.
Qual a faixa de temperatura de operação da junção do F3L500R12W3H7_H11?
A temperatura de operação da junção do F3L500R12W3H7_H11 varia de -40°C a +150°C.
O F3L500R12W3H7_H11 possui diodo de freio integrado e qual sua tecnologia?
Sim, o F3L500R12W3H7_H11 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT 7.