Módulo IGBT Semikron SKCD 120 C 120 I4F R

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Módulo IGBT Semikron SKCD 120 C 120 I4F R: ideal para aplicações de alta potência, oferecendo 1200V de tensão de bloqueio e 200A de corrente. Tecnologia CAL4F

SKU: SKCD 120 C 120 I4F R Categoria: Tag:

Módulo IGBT Semikron SKCD 120 C 120 I4F R

O módulo IGBT SKCD 120 C 120 I4F R da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de conversores de potência, incluindo inversores trifásicos e fontes chaveadas de alta potência. Sua robustez térmica e capacidade de operar em altas correntes o tornam ideal para aplicações que exigem confiabilidade e eficiência, como acionamentos de motores e sistemas de energia renovável.

Este módulo IGBT se destaca pela sua tecnologia CAL4F, que proporciona uma recuperação suave e rápida, minimizando perdas de comutação e otimizando a eficiência em aplicações de alta frequência. A combinação de alta tensão de bloqueio e corrente nominal o torna uma solução versátil para uma ampla gama de projetos.

Especificações

Parâmetro Valor
Tensão de Bloqueio Repetitiva (VRRM) 1200V
Corrente Direta Média (IF(AV)) 200A
Tecnologia CAL4F
Tipo de Encapsulamento Chip

Compatibilidade e Aplicações

O módulo SKCD 120 C 120 I4F R é amplamente utilizado em:

  • Inversores de frequência para acionamento de motores.
  • Fontes de alimentação industriais de alta potência.
  • Sistemas de UPS (Uninterruptible Power Supply).

Referência do fabricante

Disponível mediante solicitação.

Datasheet (PDF)

Não disponível.

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