Módulo IGBT SEMiX223GB12M7p Semikron
O módulo IGBT SEMiX223GB12M7p da Semikron é otimizado para topologias de ponte completa, atendendo às demandas de aplicações de alta potência e alta eficiência. Sua arquitetura robusta, combinada com a tecnologia IGBT M7, o torna ideal para aplicações que exigem controle preciso e confiabilidade em ambientes industriais exigentes. Este módulo opera em uma ampla faixa de temperatura, de -40°C a +150°C, garantindo desempenho consistente mesmo sob condições extremas.
Projetado para lidar com tensões de bloqueio de até 1200V e correntes de coletor de 225A, o SEMiX223GB12M7p é adequado para sistemas que necessitam de alta capacidade de comutação. Seu encapsulamento SEMiX 3p facilita a integração em diversos projetos, oferecendo uma solução compacta e eficiente para o controle de potência.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT M7 |
| Configuração | Ponte completa (Half Bridge) |
| Tensão de bloqueio (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor (ICnom) | 225A |
| Invólucro | SEMiX 3p (150x62x17) |
| Material do encapsulamento | Plástico |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Tipo de montagem | Parafusos |
| Número de pinos | 7 |
| Peso | 0.35 kg |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX223GB12M7p é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Referência do fabricante
N/A
Datasheet (PDF)
N/A
