Módulo IGBT SEMiX603GB17E4pV1 – Semikron
O SEMiX603GB17E4pV1 é um módulo IGBT trifásico de alta potência, da Semikron, otimizado para aplicações que demandam alta performance e robustez. Sua configuração em meia ponte e tecnologia Trench IGBT de 4ª geração o tornam ideal para topologias de inversão e conversão de frequência. A robustez térmica, com temperatura de junção máxima de 150°C, garante operação confiável em condições severas. O encapsulamento SEMiX 3p facilita a integração em sistemas compactos, enquanto a alta capacidade de curto-circuito aumenta a proteção contra falhas.
Este módulo é projetado para trabalhar em uma vasta gama de aplicações, incluindo sistemas que operam com tensões de até 1700V e correntes nominais de 600A. A combinação de baixa perda de condução e comutação, oferecida pela tecnologia Trench IGBT, resulta em maior eficiência energética e menor geração de calor.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1700V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 600A |
| Configuração | Meia Ponte |
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Encapsulamento | SEMiX 3p (150x62x17 mm) |
| Temperatura de Junção Máxima (Tj) | 150°C |
| Curto-circuito | Alta capacidade |
| Montagem | Press-fit |
| Homologação UL | E63532 |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX603GB17E4pV1 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
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