Módulo IGBT Semikron SKM150GB12V
O módulo IGBT SKM150GB12V da Semikron é otimizado para aplicações de alta potência, operando em topologias de meia ponte. Sua robustez térmica, aliada à tecnologia IGBT Trench de 6ª Geração e diodos CAL4 de 4ª Geração, garante um desempenho consistente em uma ampla faixa de operação. Este módulo se destaca em aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade, como controle de motores e conversores de frequência.
A configuração de meia ponte e o invólucro SEMITRANS 2 (94x34x30 mm) facilitam a integração em diversos sistemas, oferecendo uma solução compacta e eficiente para o gerenciamento de energia em ambientes industriais e aplicações de energia renovável.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT Trench de 6ª Geração (Fuji) |
| Tensão de Coletor-Emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 150A |
| Diodo de roda livre | CAL4 de 4ª Geração |
| Configuração | Meia Ponte |
| Invólucro | SEMITRANS 2 (94x34x30 mm) |
| Resistor de Gate Integrado | Sim |
| Certificação UL | Arquivo nº E63532 |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKM150GB12V é amplamente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de tração. Sua alta capacidade de corrente e robustez térmica o tornam adequado para aplicações industriais exigentes e conversores de energia.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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