Módulo IGBT Semikron SKM600GAE12E4
O módulo IGBT SKM600GAE12E4 da Semikron é otimizado para topologias de alta potência, como pontes trifásicas e conversores multinível, operando em aplicações que demandam alta eficiência e robustez. Sua capacidade de 1200V e 600A o torna ideal para sistemas que exigem controle preciso e resposta rápida. A robustez térmica, com temperatura de junção máxima de 175°C, garante operação confiável em ambientes desafiadores.
A tecnologia IGBT 4 (Trench) integrada ao SKM600GAE12E4 proporciona baixas perdas de comutação e condução, resultando em maior eficiência energética. O encapsulamento SEMITRANS 5 e a base de cobre isolada com tecnologia DBC otimizam a dissipação de calor, prolongando a vida útil do módulo e garantindo a estabilidade em diferentes condições de operação.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 600A |
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Encapsulamento | SEMITRANS 5 (106x62x31 mm) |
| Diodo de roda livre integrado | 900A |
| Resistor de gate integrado | Sim |
| Base | Cobre isolada com tecnologia DBC |
| Temperatura de junção máxima (Tj) | 175°C |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKM600GAE12E4 é amplamente utilizado em inversores de frequência para acionamentos de motores de grande porte, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de tração elétrica, devido à sua alta capacidade de corrente e confiabilidade. Também pode ser aplicado em fontes industriais de alta potência, onde o controle preciso e a eficiência são cruciais.
